万代 AONR32324 32V N沟道MOSFET

发布日期:2024-12-21 23:43    点击次数:120

描述:

Trench Power MOSFET 技术 32V 低 RDS(ON) 负载开关优化 高电流能力 RoHS 和无卤素合规

特征:

VDS ID (at VGS=10V) 50A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 2.2mΩ

RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 3.1mΩ

100% UIS 测试100% Rg 测试

应用:

NB电池组的电池充电和放电

适配器/充电器电源开关

详情请咨询我司业务15986786916

发布于:广东省

下一篇:没有了