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万代 AONR32324 32V N沟道MOSFET
发布日期:2024-12-21 23:43 点击次数:120
描述:
Trench Power MOSFET 技术 32V 低 RDS(ON) 负载开关优化 高电流能力 RoHS 和无卤素合规
特征:
VDS ID (at VGS=10V) 50A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 2.2mΩ
RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 3.1mΩ
100% UIS 测试100% Rg 测试
应用:
NB电池组的电池充电和放电
适配器/充电器电源开关
详情请咨询我司业务15986786916
发布于:广东省